氮化鎵(GaN)是第三代半導體材料的典型代表，法國研究機構(gòu)Yole 預測，到2023 年氮化鎵射頻器件的市場規(guī)模將達到13 億美元，復合增速為22.9%。隨著第三代半導體材料的崛起，基于新材料的IGBT 也將站上歷史舞臺。IGBT 主要應用領(lǐng)域之一的新能源汽車也已經(jīng)打開市場，未來空間巨大。

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。